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美国Microsemi公司加入电力美国创新中心,并被授予合同发展SiC技术

放大字体  缩小字体 发布日期:2017-08-23   浏览次数:161
核心提示:  美国加利福尼亚州的Microsemi公司(制造航空航天与国防、通信、数据中心和工业市场用的芯片)加入电力美国创新中心(PowerAmeri
   美国加利福尼亚州的Microsemi公司(制造航空航天与国防、通信、数据中心和工业市场用的芯片)加入电力美国创新中心(PowerAmerica)成为其一员,并被PowerAmerica授予一份5年的合同,用于促进(SiC)和氮化镓(GaN)元器件产品及系统的广泛应用。

  电力美国创新中心简介

  2014年11月,下一代制造创新中心成立,由美国能源部支持,于2015年开放设施,随后更名为电力美国(PowerAmerica),中心位于北卡罗来纳州,致力于推进以氮化镓和碳化硅为基础的宽禁带半导体电力电子器件。该中心由美国能源部投资7000万美元,非联邦资金投入7000万美元。该中心由北卡罗来纳州立大学牵头,最初成员包括18家企业、7家大学和实验室。

  Microsemi作用

  Microsemi在PowerAmerica的作用是专注于支持1.7kV和3.3kV SiC mosFET和SiC肖特基二极管的商业化。由于具有更高效率,高温/高压运行稳定性,更好的处理和更小的外形尺寸等关键优势,1.7kV和3.3kV器件的发展旨在扩大能够使用SiC技术的应用范围,包括工业和航空航天市场以及需要美国供应商的国防市场,目标应用包括电动汽车、铁路(牵引)、航空航天驱动系统、发电和配电、太阳能逆变器、电机驱动和电磁轨道枪等。

  Microsemi的功率分立器件和模块业务部副总裁兼业务部经理Leon Gross说:“我们对这项技术的投资得到了PowerAmerica的领导层的认可。作为供应商这一市场的供应商之一,Microsemi期待提供具有成本效益的最先进的1.7kV和3.3kV SiC器件,能够通过6英寸的生产线快速提高产能,缩短交货时间,最终为客户缩短设计周期。”

  加入PowerAmerica的意义

  Microsemi表示,与Power America合作能够扩展其在航空航天应用中提供与智能电源解决方案(IPS)相同的高级系统集成的能力,例如电源核心模块(PCM)和混合动力驱动器(HPD)。PowerAmerica存进领先的宽禁带半导体制造商、材料提供商和最终用户与研究型大学和政府机构的专家合作,不仅可以降低成本,还可以提高宽禁带器件和包含SiC和GaN的系统的性能和可靠性。作为该机构的成员,Microsemi拥有多达11个大学研究计划,三个联邦合作者和十多家初创公司致力于发展宽禁带技术。

  Powerasmerica的副执行总监兼首席执行官Veliadis博士表示:“Microsemi在开发高可靠性半导体解决方案方面拥有六十年的经验,加上其不断创新、引领和适应快速变化的环境,将有助于加速SiC在电力电子行业的应用。PowerAmerica很自豪与Microsemi合作,提高其1。7kV的SiC工艺产量,并开发出对牵引和高压直流(HVDC)电网应用至关重要的3。3kV器件。”

  市场预测

  市场研究公司IHS Markit Technology预测,从2015年到2021年,SiC市场的复合年增长率(CAGR)将达到38%,2021年市场将达到约14亿美元。随着SiC MOSFET和二极管具有更优异的动态和热性能,SiC的优势正在影响新的终端产品的发展。

  Microsemi SiC器件发展目标

  Microsemi表示,其1.7kV和3.3kV SiC器件关键特性将达到如下指标:

  · 高可靠@175℃

  · AEC-Q101资质

  · 1.7kV MOSFET Rds(on)低于7mΩ·cm2(市场现有产品最低值)

  · 超过15J/cm2的雪崩能量等级(UIS)(对于工业和汽车应用足够坚固,是目前可用的任何1.7kV SiC MOSFET最高的UIS等级)

  · 短路耐受时间(SCWT)约5μs(当前1。7kV级别器件最长时间),确保在故障条件下安全运行/切断。

  Microsemi表示,其现有的SiC产品组合提供了多种优势,如系统效率提高,相同物理尺寸的功率输出增加25~50%,绝缘栅双极晶体管()的开关频率更高,系统尺寸和重量减小,运行温度范围内(+ 175°C)的稳定性,节省了大量的冷却成本等。

 
 
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